大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT

簡(jiǎn)要描述：大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT
華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

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更新時(shí)間：2024-01-29
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半導(dǎo)體C-V特性分析儀

試驗(yàn)系統(tǒng) 參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 吉時(shí)利Keithley 4200A-SCS半導(dǎo)體測(cè)試儀系統(tǒng)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀半導(dǎo)體靜動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng) 同惠半導(dǎo)體C-V特性分析儀

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大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT

華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē)，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管
B：最大脈沖電流1200A，電壓5KV，大功率測(cè)試
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測(cè)量精度2mV
E：Vce測(cè)量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護(hù)被測(cè)量器件
H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能
I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT

華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。能夠通過(guò)電腦操作完成IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；具體如下：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?br data-filtered="filtered" style="box-sizing: border-box;"/>整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

Vce-Ic特征曲線

Vgth-Vce特征曲線